DFE 10 I 600PM
advanced
FRED
Symbol Definition
R a t i n g s
Features / Advantages:
Planar passivated chips
Llow leakage current
Very short recovery time
Improved thermal behaviour
Low Irm-values
Very soft recovery behaviour
Avalanche voltage rated for reliable
operation
Soft reverse recovery for low EMI/RFI
Low Irm reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch
Conditions Unittyp. max.
IFSM
IR
A
μA
V
100
IFAV
A
VF
1.50
RthJC
4.20 K/W
VR
=
600
1
3
min.
10
=10ms (50 Hz), sine
Applications:
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
Antisaturation diode
Snubber diode
Free wheeling diode
Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
Uninterruptible power supplies (UPS)
VRRM
V
600
20
TVJ
=
V
25
°C
TVJ
=
125
°C
mA
1.5
Package:
Part number
(Marking on product)
VR
=
600
TVJ
=
25
°C
IF
=A10
V
TC
= 100 °C
rectangular, d = 0.5
Ptot
30 W
TC
25
°C
=
A
IRM
4
-diF/dt
=
100 A/μs
IF
=A;10
VR
=V300
A
t
rr
EAS
tbd mJ
=A;L = μHtbd 100
TVJ
=
25
°C
IAS
IAR
A
VA
=
1.5·VR
typ.;
tbd
f = 10 kHz
TVJ
150
°C
-55
Fast Recovery Diode
Low Loss and Soft Recovery
Single Diode
VRRM
=
IFAV
trr
=
=
600
V
10
A
35
ns
TVJ
=45°C
DFE 10 I 600PM
V
tp
max. repetitive reverse voltage
reverse current
forward voltage
average forward current
thermal resistance junction to case
virtual junction temperature
total power dissipation
max. forward surge current
max. reverse recovery current
non-repetitive avalanche energy
repetitive avalanche current
reverse recovery time
1.80
TVJ
=
25
°C
CJ
tbd pF
junction capacitance
VR
=V;300
f = 1 MHz
TVJ
=°C25
VF0
V
0.98
TVJ
= 150 °C
rF
28.7
TO-220ACFP
V
1.30
10 150TVJ
=°C
IF
=A
V
1.70
IF
=A20
IF
=A20
ns
35
120 ns
Industry standard outline
Plastic overmolded tab for
electrical isolation
Epoxy meets UL 94V-0
RoHS compliant
TVJ
=25
°C
TVJ
= 125
°C
TVJ
=25
°C
TVJ
= 125
°C
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
Backside: isolated
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2006 IXYS all rights reserved
0630
* Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
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DFE18SAN1R0MG0L 功能描述:FIXED IND 1UH 1.7A 128 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_G0 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:1.7A 电流 - 饱和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):128 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603(1608 公制) 供应商器件封装:0603(1608 Metric) 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1
DFE18SANR24ME0L 功能描述:FIXED IND 240NH 3.2A 36 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_E0 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:240nH 容差:±20% 额定电流:3.2A 电流 - 饱和值:4.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):36 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603(1608 公制) 供应商器件封装:0603(1608 Metric) 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.032"(0.80mm) 标准包装:1
DFE18SANR24MG0L 功能描述:FIXED IND 240NH 3.5A 30 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_G0 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:240nH 容差:±20% 额定电流:3.5A 电流 - 饱和值:4.9A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):30 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603(1608 公制) 供应商器件封装:0603(1608 Metric) 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1
DFE18SANR47ME0L 功能描述:FIXED IND 470NH 2.4A 64 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_E0 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:2.4A 电流 - 饱和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):64 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603(1608 公制) 供应商器件封装:0603(1608 Metric) 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.032"(0.80mm) 标准包装:1
DFE18SANR47MG0L 功能描述:FIXED IND 470NH 2.6A 54 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_G0 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:3.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):54 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603(1608 公制) 供应商器件封装:0603(1608 Metric) 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1
DFE18SANR56ME0L 功能描述:FIXED IND 560NH 2.2A 84 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_E0 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 类型:- 材料 - 磁芯:金属 电感:560nH 容差:±20% 额定电流:2.2A 电流 - 饱和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):84 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603(1608 公制) 供应商器件封装:0603(1608 Metric) 大小/尺寸:0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.032"(0.80mm) 标准包装:1
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